il y a 5 ans

Antaios lève 11 millions de dollars pour développer sa technologie SOT-MRAM

  • Antaios, une société française de développement de technologie SOT-MRAM basée à Grenoble, a levé 11 millions de dollars

  • Le financement a été mené par Innovacom, avec la participation de Sofimac Innovation, Applied Ventures, LLC, bras de capital-risque d'Applied Materials, ainsi que Bpifrance (Banque publique d'investissement française) et d'autres partenaires bancaires

  • La société a l'intention d'utiliser les fonds pour développer de nouveaux partenariats stratégiques

  • Antaios est un pionnier de la mémoire à accès aléatoire magnétique à couple de spin-orbite (SOT-MRAM) qui, s'appuyant sur une décennie de recherche au SPINTEC, s'engage à permettre aux fabricants de puces de résoudre le problème crucial des demandes de puissance dans les systèmes semi-conducteurs avancés.

      • antaios.fr

      ProblèmeTechnology Infrastructure

      "Les systèmes semi-conducteurs avancés sont confrontés à un problème critique lié à la demande d'énergie. Les mémoires non volatiles (NV) existantes, telles que les mémoires flash NOR et les mémoires SRAM, ne répondent pas aux exigences des appareils modernes qui nécessitent à la fois une vitesse de fonctionnement élevée et une endurance de lecture/écriture infinie."

      Solution

      "Antaios a développé une technologie SOT-MRAM (Spin-Orbit Torque Magnetic Random-Access Memory) qui offre une alternative plus performante aux mémoires NV existantes. La technologie SOT-MRAM permet une vitesse de fonctionnement élevée et une endurance de lecture/écriture infinie, ce qui la rend idéale pour les microcontrôleurs, les microprocesseurs et les systèmes sur puce. De plus, la technologie SOT-MRAM peut être facilement mise en œuvre sur les lignes de fabrication de STT-MRAM, ce qui permet un déploiement rapide sur le marché dans divers domaines tels que l'Internet des objets (IoT), la mobilité, l'informatique et le stockage."

      Couvert par